"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Выступ на спектрах поглощения GaAs, возбужденного мощными пикосекундными импульсами света
Алтыбаев Г.С.1, Броневой И.Л.2, Кумеков С.Е.1
1Казахский национальный технический университет им. К.И. Сатпаева, Алматы, Казахстан
2Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 3 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

Рассчитаны спектры поглощения GaAs, возбужденного мощными короткими импульсами света. "Выступ" на спектрах обусловлен отклонением функции распределения электронов от фермиевской. Возмущение функции распределения связано с LO-фононной релаксацией электронов между состояниями, участвующими в формировании "дыры" в области усиления и выступа в области поглощения. Показано, что температура оптических фононов, определяющих релаксацию фотовозбужденных электронов, отличается от решеточной, а время залечивания возмущения фермиевской функции распределения за счет межэлектронных столкновений почти равно характерному времени взаимодействия электрона с оптическими фононами.
  1. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов, С.Е. Кумеков, С.В. Стеганцов. ФТП, 36, 144 (2002)
  2. В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984) с. 120
  3. J.S. Blakmore. J. Appl. Phys., 53 (10), R123 (1982)
  4. А.А. Рогачев. Материалы четвертой зимней школы по физике полупроводников (Л., ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 1972)
  5. Е. Джонсон. В сб.: Оптические свойства полупроводников (М., Мир, 1970) с. 166
  6. W. Potz, P. Cocevar. Phys. Rev. B, 28(12), 7040 (1983)
  7. С.Е. Кумеков, В.И. Перель. ЖЭТФ, 94(1), 366 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.