Особенности получения и некоторые свойства гетероперехода n-ZnO : Ga/p-GaN : Mg/alpha-Al2O3
Атаев Б.М.1, Аливов Я.И.2, Мамедов В.В.1, Махмудов С.Ш.1, Магомедов Б.А.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 13 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.
Приведены первые результаты по выращиванию гетероэпитаксиальных структур ZnO/GaN/alpha-Al2O3 в проточном реакторе пониженного давления методом химических транспортных реакций с использованием плазмы высокочастотного разряда. Активация реагентов в процессе роста позволила значительно повысить эффективное давление атомарного кислорода в реакторе и существенно снизить температуру эпитаксии, улучшить морфологические, структурные параметры слоев ZnO и сформировать гетеропереход n-ZnO : Ga/p-GaN : Mg/alpha-Al2O3.
- Б.М. Атаев, И.К. Камилов, В.В. Лундин, В.В. Мамедов, А.К. Омаев. Письма ЖТФ, 27 (2), 30 (2001)
- А.Х. Абдуев, А.Д. Адуков, Б.М. Атаев. Опт. и спектр., 50 (6), 1137 (1981)
- D.C. Look, D.C. Reynolds, J.W. Hemsky. Appl. Phys. Lett., 75, 811 (1999)
- А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков, М.О. Воробьев. ФТП, 36 (3), 284 (2002)
- А.Н. Георгобиани, М.В. Котляревский. Неорг. матер., 33, 185 (1997)
- А.Х. Абдуев, Б.М. Атаев, А.М. Багамадова. Неорг. матер., 23, 1928 (1987)
- S. Nakamura, S. Mukai, M. Senon. Jap. J. Appl. Phys., Pt 2, 30, L1998 (1991)
- J. Molnar, R. Singh, T.D. Moustakas. Appl. Phys. Lett., 66, 268 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
