"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности получения и некоторые свойства гетероперехода n-ZnO : Ga/p-GaN : Mg/alpha-Al2O3
Атаев Б.М.1, Аливов Я.И.2, Мамедов В.В.1, Махмудов С.Ш.1, Магомедов Б.А.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 13 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

Приведены первые результаты по выращиванию гетероэпитаксиальных структур ZnO/GaN/alpha-Al2O3 в проточном реакторе пониженного давления методом химических транспортных реакций с использованием плазмы высокочастотного разряда. Активация реагентов в процессе роста позволила значительно повысить эффективное давление атомарного кислорода в реакторе и существенно снизить температуру эпитаксии, улучшить морфологические, структурные параметры слоев ZnO и сформировать гетеропереход n-ZnO : Ga/p-GaN : Mg/alpha-Al2O3.
  1. Б.М. Атаев, И.К. Камилов, В.В. Лундин, В.В. Мамедов, А.К. Омаев. Письма ЖТФ, 27 (2), 30 (2001)
  2. А.Х. Абдуев, А.Д. Адуков, Б.М. Атаев. Опт. и спектр., 50 (6), 1137 (1981)
  3. D.C. Look, D.C. Reynolds, J.W. Hemsky. Appl. Phys. Lett., 75, 811 (1999)
  4. А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков, М.О. Воробьев. ФТП, 36 (3), 284 (2002)
  5. А.Н. Георгобиани, М.В. Котляревский. Неорг. матер., 33, 185 (1997)
  6. А.Х. Абдуев, Б.М. Атаев, А.М. Багамадова. Неорг. матер., 23, 1928 (1987)
  7. S. Nakamura, S. Mukai, M. Senon. Jap. J. Appl. Phys., Pt 2, 30, L1998 (1991)
  8. J. Molnar, R. Singh, T.D. Moustakas. Appl. Phys. Lett., 66, 268 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.