"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Высокочастотная барьерная емкость контакта металл--полупроводник и резкого p-n-перехода
Мурыгин В.И.1
1Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), Зеленоград, Россия
Поступила в редакцию: 4 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

Рассчитаны высокочастотные емкости барьера Шоттки и резкого p-n-перехода с учетом концентрации свободных носителей заряда в области объемного заряда в полупроводнике с мелкими и глубокими примесными уровнями. Полученные формулы сопоставляются с опубликованными результатами расчетов высокочастотной емкости p-n-перехода и результатами экспериментальных исследований.
  • В.И. Перель, А.Л. Эфрос. ФТП, 1 (11), 1693 (1967)
  • Л.С. Берман. ФТП, 3 (12), 1878 (1969)
  • Л.С. Берман. ФТП, 4 (8), 1511 (1970)
  • В.К. Григорьев, О.И. Казанцев, В.И. Мурыгин, В.С. Рубин, В.И. Стафеев. ФТП, 3 (12), 1861 (1969)
  • В.И. Мурыгин, В.Б. Гундырев. Изв. вузов. Электроника, N 3 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.