"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Выращивание эпитаксиальных слоев AlGaN и сверхрешеток AlGaN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
Лундин В.В.1, Сахаров А.В.1, Цацульников А.Ф.1, Заварин Е.Е.1, Бесюлькин А.И.1, Фомин А.В.1, Сизов Д.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

Исследованы особенности газофазной эпитаксии из металлорганических соединений слоев AlGaN и сверхрешеток AlGaN/GaN в реакторах различного размера (лабораторный Epiquip VP-50 RP и полупромышленный AIX2000HT). Обнаружен эффект насыщения зависимости содержания алюминия в твердой фазе от потока триметилалюминия (ТМА) в реакторе, препятствующий выращиванию слоев с высоким содержанием алюминия. Эффект наблюдался для обоих исследованных реакторов, однако он более выражен в реакторе большего размера. Предположительно, данный эффект является следствием паразитных реакций в газовой фазе и зависит от парциального давления ТМА в реакторе. Помимо снижения общего давления в реакторе, содержание алюминия в слоях может быть увеличено при повышении полного потока газа через реактор и снижении потока триметилгаллия. При использовании данных подходов на полупромышленной установке AIX2000HT были выращены слои с мольной долей AlN до 20% при давлении в реакторе 400 мбар (до 40% при 200 мбар). В лабораторном реакторе были выращены слои AlGaN во всем диапазоне составов.
  1. E. Woelk, G. Strauch, D. Schnitz, H. Jurgensen. Proc. 1st Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes (March 5-7, 1996, Chiba, Japan) p. 514
  2. V.Yu. Davydov, A.A. Klochikhin, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, A.S. Usikov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, M.V. Baidakova, J. Stemmer, H. Klausing, D. Mistele. Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conf. Ser., 1, 665 (2000)
  3. W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, E.E. Zavarin, A.I. Besulkin, M.F. Kokorev, R.N. Kyutt, V.Yu. Davydov, V.V. Tretiakov, D.V. Pakhnin, A.S. Usikov. Phys. St. Sol. (a), 188 (2), 885 (2001).
  4. W.V. Lundin, A.S. Usikov, I.L. Krestnikov, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsul'nikov, M.V. Baidakova, D.V. Poloskin, V.V. Tret'iakov, N.N. Ledentsov. Booklet of the 8th EW-MOVPE (June 8-11, 1999, Prague, Czech Republic) p. 49
  5. В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин, Д.С. Сизов, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов. Тез. докл. 2-й Всеросс. конф. " Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (СПб., 3-4 февраля 2003 г.) с. 93
  6. A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.S. Usikov, Yu.A. Kudriavtsev, A.V. Lunev, Y.M. Sherniakov, N.N. Ledentsov. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 3, 28 (1998)
  7. О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин. Тез. докл. VI Росс. конф. по физике полупроводников (СПб., 27-31 октября 2003 г.) с. 462

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.