"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структурные дефекты на границе раздела сегнетоэлектрик-полупроводник
Берман Л.С.1, Титков И.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

Исследованы структурные дефекты на границе раздела между Pb0.95La0.05Ti0.8Zr0.2O3 и La1.85Sr0.15CuO4. Использован метод изотермической релаксации тока. Были рассмотрены два случая. а) Толщина дефектного слоя много меньше толщины области объемного заряда. б) Толщина дефектного слоя больше толщины области объемного заряда. Показано, что в исследованных образцах толщина дефектного слоя больше 50-100 Angstrem, а в интервале энергий Ev+(0.55-0.65) эВ плотность состояний глубокоуровневых центров порядка 3· 1020 см-3 эВ-1, что соответствует плотности поверхностных состояний порядка 2· 1014 см-2 эВ-1. Показано, что плотность состояний глубокоуровневых центров возрастает от границы раздела в глубь полупроводника.
  1. Y. Watanabe. Jap. J. Appl. Phys., 35, pt 1, 1564 (1995)
  2. Y. Watanabe. Phys. Rev. B, 59, 11 257 (1999)
  3. M.W. Prins, S.E. Zimmers, J.F. Cilessen, J.B. Giesbers. Appl. Phys. Lett., 70, 458 (1997)
  4. И.А. Веселовский, И.В. Грехов, Л.А. Делимова, И.А. Линийчук. Письма ЖТФ, 27, 39 (2001)
  5. Y. Watanabe, Y. Matsumoto, M. Tanamura. Jap. J. Appl. Phys., 34, 5254 (1995)
  6. W. Wu, K.H. Wong, C.L. Mak, C.L. Chou, Y.H. Zhang. J. Appl. Phys., 88, 2068 (2000)
  7. H. Sugiyama, T. Nakaiso, Y. Adachi, M. Noda, M. Okuyama. Jap. J. Appl. Phys., 39, pt 1, 2131 (2000)
  8. T. Mihara, Y. Watanabe. Integrated Ferroelectrics, 1, 269 (1992)
  9. J.M. Benedetto, R.A. Moore, F.B. Mc Lean. J. Appl. Phys., 75, 460 (1994)
  10. P.K. Larsen, G.J.M. Dormans, D.J. Taylor, P.J. van Veldhoven. J. Appl. Phys., 76, 2405 (1994)
  11. S.L. Miller, R.D. Nasby, J.R. Schwank, M.S. Rodgers, P.V. Gressendorfer. J. Appl. Phys., 68, 6483 (1990)
  12. Y.S. Yang, S.J. Lee, S.H. Kim, B.G. Chae, N.S. Jang. J. Appl. Phys., 84, 5005 (1998)
  13. S.L. Miller, J.R. Schwank, R.D. Nasby, M.S. Rodgers. J. Appl. Phys., 70, 2849 (1991)
  14. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1981) т. 1
  15. J.G. Simmons, L.S. Wei. Sol. St. Electron., 17, 117 (1974)
  16. I. Grekhov, L. Delimova, I. Liniichuk, D. Mashovets, I. Veselovsky. Integrated Ferroelectrics, 43, 175 (2002)
  17. C.B. Sawyer, C.H. Tower. Phys. Rev., 35, 269 (1930)
  18. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник (М., Мир, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.