"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрон-электронное рассеяние в ступенчатых квантовых ямах
Зерова В.Л.1, Воробьев Л.Е.1, Зегря Г.Г.2
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

Предложен метод расчета вероятности межподзонного электрон-электронного рассеяния в квантовых ямах сложной формы. Численные значения получены для ступенчатых квантовых ям InGaAs/AlGaAs. Установлены основные механизмы электрон-электронного рассеяния, наиболее сильно влияющие на межподзонную инверсию населенности в лазерной структуре.
  1. W.T. Tsang. In: Semiconductors and Semimetals, Light-wave Communications Technology, ed. by W.T. Tsang (Academic Press, 1985) v. 22
  2. P. Kinsler, P. Harrison, R.W. Kelsall. Phys. Rev. B, 58, 4771 (1998)
  3. E.O. Kane. J. Phys. Chem. Sol., 1, 249 (1957)
  4. A. Kastalsky, L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, V.L. Zerova, E. Towe. IEEE. J. Quant. Electron., 37, 1356 (2001)
  5. Б.Л. Гельмонт. ЖЭТФ, 75, 536 (1978)
  6. Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ЖЭТФ, 113, 1491 (1998)
  7. Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101, 327 (1992)
  8. V.V. Mitin, V.A. Kochelap, M.A. Stroscio. Quantum heterostructures (Cambridge, University Press, 1999) p. 242
  9. S.-C. Lee, I. Calbraith. Phys. Rev. B, 55, R16025 (1997)
  10. Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Е.Л. Ивченко, М.Е. Левинштейн, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин. Кинетические и оптические явления в сильных электрических полях в полупроводниках и наноструктурах (СПб., Наука, 2000)
  11. C.H. Yang, J.M. Carlson-Swindle, S.A. Lyon, J.M. Worlock. Phys. Rev. Lett., 55, 2359 (1985)
  12. Б.Л. Гельмонт, Р.И. Лягущенко, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 14 (2), 533 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.