"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование рекомбинационных центров в облученных кристаллах p-Si
Пагава Т.А.1
1Грузинский технический университет, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 27 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

Исследовались образцы p-Si, облученные электронами с энергией 8 МэВ. На основе анализа зависимостей времени жизни неосновных носителей тока tau, удельного сопротивления rho, концентрации p и холловской подвижности muH от температуры изохронного отжига Tann высказано предположение, что многокомпонентные комплексы V3+O или V2+O2 не являются рекомбинационными центрами. Глубокие доноры с энергетическими уровнями Delta Ei=Ev+0.40 эВ, комплексы типа V3+O3 или V3+O2 влияют на величины muH и tau. По кривым изохронного отжига определены энергии активации отжига Eann для таких дефектов, как K-центры, межузельный углерод Ci, комплексы V+B, V2+O2, дивакансии V2, а также для дефектов с уровнями Delta Ei=Ev+0.20 эВ, которые равняются Eann=0.9, 0.25, 1.6, 2, 1.54 и 2.33 эВ соответственно.
  1. В.С. Вавилов, С.И. Винтовкин, А.С. Лютович и др. ФТТ, 7, 502 (1965)
  2. В.С. Вавилов. Действие излучений на полупроводники (М., Атомиздат, 1963).
  3. В.В. Болотов, В.А. Коротченко, А.П. Мамонтов и др. ФТП, 14, 2257 (1980)
  4. З.В. Башелейшвили, В.С. Гарнык, С.Н. Горин, Т.А. Пагава. ФТП, 18, 1714 (1984)
  5. В.С. Гарнык, З.В. Башелейшвили. ФТП, 24, 1485 (1990)
  6. G. Tsintsadze, Z. Bashaleishvili, T. Pagava et al. Bull. Georgian Acad. Sci., 162 (1), 63 (2000)
  7. В.Н. Губская, П.В. Кучинский, В.М. Ломако. ФТП, 20, 1055 (1986)
  8. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
  9. И.Д. Конозенко, А.К. Семенюк, В.И. Хиврич. Радиационные эффекты в кремнии (Киев, Наук. думка, 1974)
  10. Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1977)
  11. Н.В. Колесников, С.Е. Мальханов, М.А. Погарский. ФТП, 12, 1836 (1978)
  12. В.В. Лукьяница. ФТП, 33, 921 (1999)
  13. М.Ю. Барабаненков и др. ФТП, 33, 897 (1999)
  14. Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках ( Экспериментальные аспекты) (М., Мир, 1985)
  15. Y.H. Lee, J.W. Corbett, K.L. Brover. Phys. St. Sol. (a), 41, 637 (1977)
  16. Л.С. Берман, Н.А. Витковский, В.Н. Ломасов, В.Н. Ткаченко. ФТП, 24, 2186 (1990)
  17. P.M. Mooney, L.J. Cheng, M. Suly, J.D. Gerson, J.W. Corbett. Phys. Rev. B, 15, 3836 (1977)
  18. C.A. Londos. Jap. J. Appl. Phys., 27, 2089 (1988)
  19. Y.H. Lee, J.W. Corbett. Phys. Rev. B, 13, 2653 (1976)
  20. А. Дамаск, Дж. Динс. Точечные дефекты в металлах (М., Мир, 1966)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.