"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Роль слоев Al0.3Ga0.7As, легированных Si, в высокочастотной проводимости гетероструктур GaAs/Al0.3Ga0.7As в режиме квантового эффекта Холла
Дричко И.Л.1, Дьяконов А.М.1, Смирнов И.Ю.1, Гальперин Ю.М.1,2, Преображенский В.В.3, Торопов А.И.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет Осло, Норвегия, и Аргоннская Национальная Лаборатория, США
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 17 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

С помощью акустических методов исследована комплексная высокочастотная проводимость гетероструктур GaAs/Al0.3Ga0.7As, delta- и модулированно легированных Si, в режиме целочисленного квантового эффекта Холла. По зависимостям поглощения и скорости поверхностных акустических волн от магнитного поля определены как активная sigma1, так и реактивная sigma2 части комплексной проводимости sigma(omega,H)=sigmai-isigma2. Показано, что в гетероструктурах с электронной концентрацией ns=(1.3-7)· 1011 см-2 и подвижностью mu=(1-2)· 105 см2/(В·с) ВЧ проводимость вблизи центров холловских плато является прыжковой. Установлено, что при факторах заполнения 2 и 4 проводимость слоя Al0.3Ga0.7As<Si> существенно шунтирует прыжковую ВЧ проводимость двумерного интерфейсного слоя. Разработан метод разделения вкладов в прыжковую проводимость sigma(omega,H) от интерфейсного слоя и слоя Al0.3Ga0.7As<Si>. Определена длина локализации электронов в интерфейсном слое на основе модели одноэлектронных прыжков на ближайший узел. Показано, что в гетероструктурах GaAs/Al0.3Ga0.7As вблизи центров холловских плато как sigma(omega,H), так и ns зависят от скорости охлаждения образца. В результате образец "помнит" условия охлаждения. Величины sigma(omega,H) и ns чувствительны также к инфракрасному облучению и к статической деформации образца. Мы связываем эти факты с присутствием в слое Al0.3Ga0.7As<Si> двухэлектронных дефектов --- так называемых DX--центров.
  1. R.E. Prange, S.M. Girvin, eds. The Quantum Hall Effect, second edition (Springer-Verlag, N. Y., 1990)
  2. M. Pollak, T. Geballe. Phys. Rev., 122, 1742 (1961)
  3. А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 89, 1834 (1985)
  4. I.L. Drichko, A.M. Diakonov, I.Yu. Smirnov, Yu.M. Galperin, A.I. Toropov. Phys. Rev. B, 62, 7470 (2000)
  5. M. Furlan. Phys. Rev. B, 57, 14 818 (1998)
  6. P.M. Mooney. J. Appl. Phys., 67, R1 (1990)
  7. D.V. Lang, R.A. Logan. Phys. Rev. Lett., 39, 635 (1977)
  8. E. Buks, H. Heiblum, H. Shtrikman. Phys. Rev. B, 49, 14 790 (1994)
  9. I.L. Drichko, A.M. Diakonov, Yu.M. Galperin, A.V. Patsekin, I.Yu. Smirnov, A.I. Toropov. Proc. 9th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 17--22, 2001) p. 582
  10. I.L. Drichko, A.M. Diakonov, V.V. Preobrazenskii, I.Yu. Smirnov, Yu.M. Galperin, A.I. Toropov. Proc. 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 17--22, 2002) p. 520
  11. I.L. Drichko, A.M. Diakonov, V.V. Preobrazenskii, I.Yu. Smirnov, Yu.M. Galperin, A.I. Toropov. Physica E, 17, 276 (2003)
  12. И.Л. Дричко, А.М. Дьяконов, А.М. Крещук, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, И.Ю. Смирнов, А.В. Суслов. ФТП, 31, 451 (1997)
  13. И.Л. Дричко, И.Ю. Смирнов. ФТП, 31, 1092 (1997)
  14. N.V. Zotova, S.A. Karandashev, D.A. Matveev, A.V. Pentsov, S.V. Slobodchikov, N.N. Smirnova, N.M. Stus', G.N. Talalakin, I.I. Markov. Proc. 1991 Optoelectronic sensors based on narrow band A-=SUP=-III-=/SUP=-B-=SUP=-V-=/SUP=- alloys, Chemical, Biochemical and Environmental Fiber Sensors (Boston) III SPIE 1587, p. 334
  15. T. Suski, P. Wisnevski, I. Gorczyca, L.H. Dmowski, R. Piotrzkovski, P. Sobkowicz, J. Smoliner, E. Gornik, G. Bohm, G. Weimann. Phys. Rev. B, 50, 2723 (1994)
  16. W. Knap, W. Zduniak, L.H. Dmowski, S. Contreras, M.I. Dyakonov. Phys. St. Sol., 198, 267 (1996)
  17. D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 39, 10 063 (1989)
  18. N. Chand, T. Henderson, J. Klem, W.T. Masselink, R. Fisher, Yia-Chung Chang, H. Morkoc. Phys. Rev. B, 30, 4481 (1984)
  19. M. Foygel, A.G. Petukhov, A.S. Andreev. Phys. Rev. B, 48, 17 018 (1993)
  20. M.M. Fogler, A.Yu. Dobin, B.I. Shklovskii. Phys. Rev. B, 57, 4614 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.