"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Сканирующая кельвин-зонд-микроскопия утечки дырок из активной области работающего инжекционного полупроводникового лазерного диода
Анкудинов А.В.1, Евтихиев В.П.1, Ладутенко К.С.1, Титков А.Н.1, Laiho R.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Wihuri Physical Laboratory, Turku University, FIN Turku, Finland
Поступила в редакцию: 22 декабря 2005 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2006 г.

Предложен метод на основе сканирующей кельвин-зонд-микроскопии, позволяющий прямое наблюдение и количественную характеризацию утечки носителей тока из активной области работающих полупроводниковых светодиодов и лазеров. С помощью разработанного метода на поверхности зеркал мощных InGaAs/AlGaAs/GaAs-лазерных диодов выявлены неосновные дырки, появляющиеся из активной области и растекающиеся на участки поверхности над n-эмиттером и n-подложкой. Показано, что перемещение дырок по поверхностным каналам, сформированным областями приповерхностного изгиба зон, может происходить на десятки микрон от места их первоначального появления на поверхности. Показано, что с подъемом тока инжекции величина утечки плавно нарастает, а после достижения лазерной генерации ее рост прекращается. PACS: 07.79.-v, 42.55.Px, 73.40.Kp.
  1. M. Nonemacher, M.P. O'Boyle, H.K. Wickmarmasing. Appl. Phys. Lett., 58, 2091 (1991)
  2. G. Binning, Ch. Gerber, E. Stell, T.R. Quake. Europhys. Lett., 3, 1281 (1987)
  3. P. Girard. Nanotechnology, 12, 485 (2001)
  4. A.V. Ankudinov, V.P. Evtikhiev, E.Yu. Kotelnikov, A.N. Titkov, R. Laiho. J. Appl. Phys., 93, 432 (2003)
  5. Е.Ю. Котельников, А.А. Кацнельсон, И.В. Кудряшов, М.Г. Растегаева, В. Рихтер, В.П. Евтихиев, И.С. Тарасов, Ж.И. Алферов. ФТП, 34, 1394 (2000)
  6. D.W. Winston, R.E. Hayes. IEEE J. Quant. Electron., 34, 707 (1998)
  7. http://www.ntmdt.ru
  8. H.O. Jacobs, P. Leuchtmann, O.J. Homan, A. Stemmer. J. Appl. Phys., 84, 1168 (1998)
  9. А.В. Анкудинов, В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, В.П. Улин, А.Н. Титков. ФТП, 33, 594 (1999)
  10. I. Suemune, M. Hoshiyama. Jap. J. Appl. Phys., 33, Pt 1, 3748 (1994); G. Bratina, L. Vanzetti, A. Franciosi. Phys. Rev. B, 52, R8625 (1995); A.V. Ankudonov, A.N. Titkov, T.V. Shubina, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, H.-J. Lugauer, G. Reuscher, M. Keim, A. Waag, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 75, 2626 (1999)
  11. S.A. Wood, P.M. Smowton, C.H. Molloy, P. Blood, D.J. Somerford, C.C. Button. Appl. Phys. Lett., 74, 2540 (1999)
  12. G.H. Buh, J.J. Kopanski. Appl. Phys. Lett., 83, 2486 (2003)
  13. M.W.J. Prins, R. Jansen, R.H.M. Groeneveld, A.P. van Gelder, H. van Kempen. Phys. Rev. B, 53, 8090 (1996)
  14. L. Kronik, Y. Shapira. Surf. Sci. Rep., 37, 1 (1999)
  15. C.M. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984). [S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (Wiley, N. Y., 1981)]
  16. H.C. Casey, Jr., B.I. Miller, E. Pinkas. J. Appl. Phys., 44, 1281 (1973); C.J. Hwang. J. Appl. Phys., 42, 4408 (1971)
  17. M. Tottonese, R.C. Barret, C.F. Quate. Appl. Phys. Lett., 62, 834 (1993); W.H.J. Rensen, N.F. van Hulst, A.G.T. Ruiter, P.E. West. Appl. Phys. Lett., 75, 1640 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.