"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Параметр излучательной рекомбинации и внутренний квантовый выход электролюминесценции в кремнии
Саченко А.В.1, Горбань А.П.1, Костылев В.П.1, Соколовский И.О.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 6 декабря 2005 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2006 г.

Изложены результаты анализа зависимости коэффициента излучательной рекомбинации в кремнии от уровня легирования и концентрации избыточных электронно-дырочных пар. Показано, что наряду с эффектом сужения ширины запрещенной зоны, рассчитанным в многоэлектронном приближении, необходимо учитывать и эффект экранирования кулоновского взаимодействия, приводящий к уменьшению энергии связи экситона. Оба эффекта действуют в одну сторону, приводя к уменьшению коэффициента излучательной рекомбинации при увеличении уровня легирования или уровня инъекции. Разделены вклады экситонной и зона-зонной излучательной рекомбинации в полный коэффициент излучательной рекомбинации в кремнии. Показано, что в области комнатных температур обе составляющие соизмеримы, в то время как при температуре жидкого азота экситонная составляющая доминирует. Приведены результаты уточненного расчета предельной величины внутреннего квантового выхода электролюминесценции кремниевых диодов и p-i-n-структур. Показано, что при комнатной температуре его величина может достигать 14 процентов, однако это значение очень сильно уменьшается с ростом скорости поверхностной рекомбинации и с уменьшением объемного времени жизни. PACS: 78.60.Fi, 78.55.Ap, 72.20.Jv
  • T. Trupke, J. Zhao, A. Wang, R. Corkish, M.A. Green. Appl. Phys. Lett., 82, 2996 (2003)
  • W. van Roosbroeck, W. Shockley. Phys. Rev., 94, 1558 (1954)
  • P.P. Altermatt, A. Schenk, F. Geelhaar, G. Heiser. J. Appl. Phys., 93, 1598 (2003)
  • T. Trupke, M.A. Green, P. Wurfel, P.P. Altermatt, A. Wang, J. Zhao, R. Corkish. J. Appl. Phys., 94, 4930 (2003)
  • G.G. MacFarlane, T.P. MacLean, J.E. Quarrington, V. Roberts. Phys. Rev., 111, 1245 (1958)
  • A.V. Sachenko, Yu.V. Kryuchenko. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron. 3, 150 (2000)
  • M. Ruff, M. Fick, R. Lindner, R. Helbig. J. Appl. Phys., 74, 267 (1993)
  • R.J. Elliot. Phys. Rev., 108, 1384 (1957)
  • H. Slangenotto, H. Maeder, W. Gerlach. Phys. Status Solidi A, 21, 357 (1974)
  • M.A. Green. J. Appl. Phys., 67, 2944 (1990)
  • Y.P. Varshni. Phys. Status Solidi, 19, 459 (1967)
  • А.В. Саченко, А.П. Горбань, В.П. Костылев. ФТП, 38, 570 (2004)
  • A.V. Sachenko, A.P. Gorban, V.P. Kostylyov. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron. 3, 5 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.