"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Параметр излучательной рекомбинации и внутренний квантовый выход электролюминесценции в кремнии
Саченко А.В.1, Горбань А.П.1, Костылев В.П.1, Соколовский И.О.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 6 декабря 2005 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2006 г.

Изложены результаты анализа зависимости коэффициента излучательной рекомбинации в кремнии от уровня легирования и концентрации избыточных электронно-дырочных пар. Показано, что наряду с эффектом сужения ширины запрещенной зоны, рассчитанным в многоэлектронном приближении, необходимо учитывать и эффект экранирования кулоновского взаимодействия, приводящий к уменьшению энергии связи экситона. Оба эффекта действуют в одну сторону, приводя к уменьшению коэффициента излучательной рекомбинации при увеличении уровня легирования или уровня инъекции. Разделены вклады экситонной и зона-зонной излучательной рекомбинации в полный коэффициент излучательной рекомбинации в кремнии. Показано, что в области комнатных температур обе составляющие соизмеримы, в то время как при температуре жидкого азота экситонная составляющая доминирует. Приведены результаты уточненного расчета предельной величины внутреннего квантового выхода электролюминесценции кремниевых диодов и p-i-n-структур. Показано, что при комнатной температуре его величина может достигать 14 процентов, однако это значение очень сильно уменьшается с ростом скорости поверхностной рекомбинации и с уменьшением объемного времени жизни. PACS: 78.60.Fi, 78.55.Ap, 72.20.Jv
  1. T. Trupke, J. Zhao, A. Wang, R. Corkish, M.A. Green. Appl. Phys. Lett., 82, 2996 (2003)
  2. W. van Roosbroeck, W. Shockley. Phys. Rev., 94, 1558 (1954)
  3. P.P. Altermatt, A. Schenk, F. Geelhaar, G. Heiser. J. Appl. Phys., 93, 1598 (2003)
  4. T. Trupke, M.A. Green, P. Wurfel, P.P. Altermatt, A. Wang, J. Zhao, R. Corkish. J. Appl. Phys., 94, 4930 (2003)
  5. G.G. MacFarlane, T.P. MacLean, J.E. Quarrington, V. Roberts. Phys. Rev., 111, 1245 (1958)
  6. A.V. Sachenko, Yu.V. Kryuchenko. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron. 3, 150 (2000)
  7. M. Ruff, M. Fick, R. Lindner, R. Helbig. J. Appl. Phys., 74, 267 (1993)
  8. R.J. Elliot. Phys. Rev., 108, 1384 (1957)
  9. H. Slangenotto, H. Maeder, W. Gerlach. Phys. Status Solidi A, 21, 357 (1974)
  10. M.A. Green. J. Appl. Phys., 67, 2944 (1990)
  11. Y.P. Varshni. Phys. Status Solidi, 19, 459 (1967)
  12. А.В. Саченко, А.П. Горбань, В.П. Костылев. ФТП, 38, 570 (2004)
  13. A.V. Sachenko, A.P. Gorban, V.P. Kostylyov. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron. 3, 5 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.