"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Направленная латеральная кристаллизация силицидной фазы кобальта на поверхности кремния
Белоусов И.В.1, Кузнецов Г.В.1, Пчеляков О.П.2
1Киевский национальный университет им. Т. Шевченко, Киев, Украина
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 18 октября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2006 г.

Показано, что центрами локального зарождения силицидной фазы CoSi2 являются структурные дефекты поверхности кремния. В таких дефектах за счет преимущественной диффузии кобальта реализуется локальная экзотермическая реакция, которая инициирует процесс последующей самоподдерживающейся латеральной кристаллизации фазы CoSi2. Показана возможность использования процессов направленного формирования силицидной фазы для изготовления наноразмерных структур без применения операций традиционной литографии и химического травления. PACS: 68.35.Dv, 65.55.Ln, 81.05.Cy, 81.10.Aj
  • L. Aleksandrov. Thin Films Sci. Technol., 5, 233 (1984)
  • Ш. Мьюрарка. Силициды для СБИС (М., Мир, 1986)
  • J. Pelleg, S. Zalkind, L. Zevin, B.M. Ditchek. Thin Solid Films, 249, 126 (1994)
  • I. Belousov, A. Grib, S. Linzen, P. Seidel. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 186, 61 (2002)
  • В.Ю. Баландин, А.В. Двуреченский, Л.Н. Александров. Поверхность: физика, химия, механика, вып. 1, 53 (1986)
  • A. Kumar, J. Narayan. Appl. Phys. Lett., 59, 1785 (1991)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.