Развита модель сегрегационного перераспределения примесей редкоземельных элементов при твердофазной эпитаксиальной кристаллизации слоев кремния, аморфизованных имплантацией. В основе модели лежит образование на межфазной границе со стороны a-Si переходного слоя с высокой подвижностью атомов, ширина которого определяется диффузионной длиной вакансий в a-Si. В рамках модели проанализированы концентрационные профили Er в кремнии при его соимплантации с кислородом. Показано, что при больших дозах имплантации редкоземельных ионов необходимо учитывать образование кластеров R_m (m=4), где R - атом редкоземельного элемента, а при соимплантации ионов кислорода - образование комплексов RO_n (n=3-6), влияющих на ширину переходного слоя и коэффициент сегрегации. PACS: 61.72.Cc, 61.72.Ji, 61.72.Tt, 66.30.Jt, 64.75+g

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.