Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах n-Si

Пагава Т.А.¹

¹Грузинский технический университет, Тбилиси, Грузия Georgian Technical University, Tbilisi, Georgia

Поступила в редакцию: 13 июля 2005 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

С целью изучения влияния температуры облучения T_irr на процесс дефектообразования исследовались монокристаллы n-Si. Исследуемые образцы облучались электронами с энергией 2 МэВ в интервале T_irr=20-400^oC. Изохронный отжиг облученных кристаллов проводился в интервале 80-600^oC. Измерения проводились методом Холла в интервале 77-300 K. Показано, что эффективность введения радиационных дефектов с высокой термостабильностью (T_ann>=350^oC) достигает максимума при T_irr=150^oC. Наблюдаемый эффект объясняется образованием мультивакансионных дефектов PV₂ на базе ионизированных E-центров и неравновесных вакансий. PACS: 71.55.Cn, 72.15.Gd, 61.80.-x, 61.72.Cc

Л.С. Милевский, В.С. Гарнык. ФТП, 13, 1369 (1979)
Т.А. Пагава, З.В. Башелейшвили, В.С. Гарнык, Э.Р. Кутелия, Н.И. Майсурадзе. УФЖ, 48, 576 (2003)
П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 20, 742 (1986)
Т.А. Пагава, З.В. Башелейшвили. ФТП, 36, 1157 (2002)
П.Ф. Лугаков, Т.А. Лукашевич. ФТП, 22, 2071 (1988)
Т.А. Пагава. ФТП, 36, 1159 (2002)
В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
Т.А. Пагава. ФТП, 39, 424 (2005)
Ю.В. Помозов, М.Г. Соснин, Л.И. Хируненко, В.И. Яшник, Н.В. Абросимов, В. Шрёдер, М. Хёне. ФТП, 34 1030 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель