Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах n-Si
Выставление онлайн: 20 июля 2006 г.
С целью изучения влияния температуры облучения Tirr на процесс дефектообразования исследовались монокристаллы n-Si. Исследуемые образцы облучались электронами с энергией 2 МэВ в интервале Tirr=20-400oC. Изохронный отжиг облученных кристаллов проводился в интервале 80-600oC. Измерения проводились методом Холла в интервале 77-300 K. Показано, что эффективность введения радиационных дефектов с высокой термостабильностью (Tann>=350oC) достигает максимума при Tirr=150oC. Наблюдаемый эффект объясняется образованием мультивакансионных дефектов PV2 на базе ионизированных E-центров и неравновесных вакансий. PACS: 71.55.Cn, 72.15.Gd, 61.80.-x, 61.72.Cc
- Л.С. Милевский, В.С. Гарнык. ФТП, 13, 1369 (1979)
- Т.А. Пагава, З.В. Башелейшвили, В.С. Гарнык, Э.Р. Кутелия, Н.И. Майсурадзе. УФЖ, 48, 576 (2003)
- П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 20, 742 (1986)
- Т.А. Пагава, З.В. Башелейшвили. ФТП, 36, 1157 (2002)
- П.Ф. Лугаков, Т.А. Лукашевич. ФТП, 22, 2071 (1988)
- Т.А. Пагава. ФТП, 36, 1159 (2002)
- В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
- Т.А. Пагава. ФТП, 39, 424 (2005)
- Ю.В. Помозов, М.Г. Соснин, Л.И. Хируненко, В.И. Яшник, Н.В. Абросимов, В. Шрёдер, М. Хёне. ФТП, 34 1030 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
