"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах n-Si
Пагава Т.А.1
1Грузинский технический университет, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 13 июля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2006 г.

С целью изучения влияния температуры облучения Tirr на процесс дефектообразования исследовались монокристаллы n-Si. Исследуемые образцы облучались электронами с энергией 2 МэВ в интервале Tirr=20-400oC. Изохронный отжиг облученных кристаллов проводился в интервале 80-600oC. Измерения проводились методом Холла в интервале 77-300 K. Показано, что эффективность введения радиационных дефектов с высокой термостабильностью (Tann>=350oC) достигает максимума при Tirr=150oC. Наблюдаемый эффект объясняется образованием мультивакансионных дефектов PV2 на базе ионизированных E-центров и неравновесных вакансий. PACS: 71.55.Cn, 72.15.Gd, 61.80.-x, 61.72.Cc
  1. Л.С. Милевский, В.С. Гарнык. ФТП, 13, 1369 (1979)
  2. Т.А. Пагава, З.В. Башелейшвили, В.С. Гарнык, Э.Р. Кутелия, Н.И. Майсурадзе. УФЖ, 48, 576 (2003)
  3. П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 20, 742 (1986)
  4. Т.А. Пагава, З.В. Башелейшвили. ФТП, 36, 1157 (2002)
  5. П.Ф. Лугаков, Т.А. Лукашевич. ФТП, 22, 2071 (1988)
  6. Т.А. Пагава. ФТП, 36, 1159 (2002)
  7. В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
  8. Т.А. Пагава. ФТП, 39, 424 (2005)
  9. Ю.В. Помозов, М.Г. Соснин, Л.И. Хируненко, В.И. Яшник, Н.В. Абросимов, В. Шрёдер, М. Хёне. ФТП, 34 1030 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.