Построена адекватная математическая модель формирования сигнала индуцированного тока в микронных и субмикронных полупроводниковых слоях при сканировании плоскости скола электронным пучком произвольной энергии. Показана возможность определения в таких слоях методом математического моделирования значений диффузионных длин, сравнимых с толщиной слоя, а также скоростей поверхностной и интерфейсной рекомбинации. Установлены предельные возможности метода при измерении диффузионной длины. Метод использован для определения электрофизических параметров гетероструктур GaAs-GaAlAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.