Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
Бузынин А.Н., Заболотский С.Е., Калинушкин В.П., Лукьянов А.Е., Мурина Т.М., Осико В.В., Плоппа М.Г., Татаринцев В.М., Эйдензон А.М.
Выставление онлайн: 20 января 1990 г.
Исследовались кристаллы бездислокационного кремния, выращенного методом Чохральского и легированные бором. Крупномасштабные примесные скопления, размеры которых колеблются в широких пределах и зависят от скорости роста кристаллов, зарегистрированы методами наведенного тока и рассеяния света. Обнаруженные дефекты не вызывают сильных искажений кристаллической решетки и не являются крупномасштабными структурными дефектами.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
