Исследовались кристаллы бездислокационного кремния, выращенного методом Чохральского и легированные бором. Крупномасштабные примесные скопления, размеры которых колеблются в широких пределах и зависят от скорости роста кристаллов, зарегистрированы методами наведенного тока и рассеяния света. Обнаруженные дефекты не вызывают сильных искажений кристаллической решетки и не являются крупномасштабными структурными дефектами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.