Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb
Андаспаева А.А.1, Баранов А.Н.1, Гельмонт Б.Л.1, Джуртанов Б.Е.1, Зегря Г.Г.1, Именков А.Н.1, Яковлев Ю.П.1, Ястребов С.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.
Рассчитана и экспериментально изучена температурная зависимость пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе твердого раствора GaInAsSb. Показано, что в интервале температур 77/310 K кривая зависимости пороговой плотности тока от температуры состоит из трех участков, соответствующих трем механизмам рекомбинации неравновесных носителей заряда в активной области. В интервале температур 77/200 K Jth~ T3/2 и определяется скоростью излучательной рекомбинации. При высоких температурах (200/300 K) Jth~ T3/2 и определяется скоростью оже-рекомбинации (CHHS-процесс). При температурах выше комнатной пороговый ток растет с температурой по экспоненциальному закону благодаря оже-процессу СНСС.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук