"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние ростовых дислокаций на время жизни электронов в n-CdxHg1-xTe
Григорьев Н.Н.1, Карачевцева Л.А.1, Курбанов К.Р.1, Любченко А.В.1
1Институт полупроводников АН УССР, Киев
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Исследовано влияние ростовых дислокаций как стоков неравновесных носителей заряда (ННЗ) на процессы рекомбинации в кристаллах n-CdxHg1-xTe (x~0.20/0.22) с плотностью дислокаций ND= 4·104-2·106 см-2. Установлено, что ростовые дислокации ограничивают время жизни электронов при плотности ND>~=106 см-2. Рассмотренная модель диффузии ННЗ к цилиндрическим включениям в отличие от традиционной модели дислокации с заданным сечением захвата ННЗ позволила оценить радиус дислокации как рекомбинационного стока и скорость рекомбинации на границе "включение-матрица". Установлено, что радиус области обеднения ННЗ вокруг дислокации ниже диффузионной длины неосновных носителей заряда и зависит от радиуса дислокации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.