"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О природе точечных дефектов в GaAs, возникающих при импульсном лазерном облученииB
Гусаков Г.М.1, Кондратова Т.Н.1, Минаждинов М.С.1, Ларюшин А.И.1
1Московский институт электронной техники
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Методами Холла и нестационарной C-T-метрии установлено, что лазерное облучение (ЛО) эпитаксиальных монокристаллических слоев GaAs, легированных Cd и S, приводит к резкому уменьшению проводимости в тонком приповерхностном слое. По данным просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ), дефекты после ЛО в тонком слое поверхности материала отсутствуют. Сделан вывод о причине деградации свойств GaAs при ЛО, связанной с точечными дефектами атомов As в междоузлии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.