Рассмотрены процессы накопления объемного заряда в МНОП структурах с двуслойным диэлектриком. Показано, что немонотонная зависимость напряжения плоских зон Delta V_FB от внешнего напряжения V_G при облучении обусловлена конкуренцией трех механизмов образования радиационно-индуцированного заряда: накопления дырочного заряда в слое двуокиси кремния, полевого разделения носителей в нитриде кремния и инжекции носителей из полупроводникового электрода. Показано, при каких параметрах модели наблюдается совпадение расчета и эксперимента.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.