"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние условий облучения на процессы дефектообразования в n-GaAs
Козловский В.В.1, Кольченко Т.И.1, Ломако В.М.1
1Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко при БГУ им. В.И. Ленина, Минск
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

С помощью измерений емкостной спектроскопии в слоях n-GaAs с n0=3·1014-2·1016 см-3, облученных электронами с E=0.9 МэВ при температуре Theta=20oC, наблюдались известные электронные ловушки Е1- Е5 и Е8, а в слое с n0=2·1017 см-3 - дополнительно ловушка E3beta. Установлено, что эффективности введения указанных ловушек практически не меняются при изменении интенсивности пучка электронов (I=6·1011-3·1013 см-2·c-1). Для слоев с n0~(1/3)·1015 см-3 проанализировано влияние температуры облучения (Theta) на процессы дефектообразования в GaAs. Установлено, что при Theta~300oC из-за термического отжига в процессе облучения эффективность введения ловушек E резко уменьшается и основной вклад в изменение свойств материала вносят ловушки X. Впервые показано, что при дальнейшем повышении Theta вплоть до 550oC спектр вводимых электронных ловушек практически не меняется и включает в себя два основных центра - X1 и X2 с Ea=0.38 и Ea=0.76 эВ соответственно. Проанализирована кинетика накопления этих центров при Theta=400oC, определены их основные параметры. Показано, что результаты облучения при Theta=300oC и отжига до этой температуры после облучения при Theta=20oC почти эквивалентны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.