"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Аномальная зависимость коэффициента отражения Si от дозы имплантации ионов Ar+ при T>330 K
Жуковский П.В.1, Канторов С.Б.1, Кищак К.1, Мончка Д.1, Стельмах В.Ф.1
1Белорусский государственный университет им. В.И. Ленина, Минск Университет им. М. Кюри-Склодовской, ПНР, Люблин
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.