"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
К вопросу о спектре глубоких уровней, создаваемых в кремниевых детекторах излучений alpha-частицами
Вербицкая Е.М.1, Еремин В.К.1, Иванов А.М.1, Игнатенко Е.С.1, Строкан Н.Б.1, Туребеков У.Ш.1, Борани Й.1, Шмидт Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 19 апреля 1991 г.

Исследованы радиационные дефекты, возникающие после alpha-облучения в кремниевых детекторах излучений, изготовленных на основе материала, выращенного по методу Чохральского и полученного методом бестигельной зонной плавки. Проведено сравнение результатов электронного и alpha-облучения, а также воздействия alpha-частиц различной дозы и энергии. Установлены общая природа и нестабильный характер при комнатной температуре центров, возникающих в нижней половине запрещенной зоны непосредственно после воздействия alpha-излучения. Показано влияние термических воздействий на спектр радиационных дефектов в кремнии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.