"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Экспериментальное и теоретическое исследование особенностей пороговых и мощностных характеристик РО ДГС InGaAsP/InP-лазеров (lambda=1.3 мкм)
Гарбузов Д.3.1, Овчинников А.В.1, Пихтин Н.А.1, Тарасов И.С.1, Халфин В.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 19 апреля 1991 г.

В настоящей работе выполнены теоретические и экспериментальные исследования ватт-амперных характеристик InGaAsP/InP-лазеров раздельного ограничения с длиной волны 1.3 мкм. Детально исследованы причины аномального падения дифференциальной квантовой эффективности при уменьшении длины резонатора лазерного диода и сублинейности ватт-амперных характеристик при больших плотностях тока. Показано, что поглощение на свободных носителях дает относительно небольшой вклад в наблюдаемое падение эффективности излучения. Развита теоретическая модель, объясняющая падение дифференциальной эффективности возрастанием концентрации неравновесных носителей в волноводе за порогом генерации и ростом утечки носителей в p-эмиттер. Модель удовлетворительно согласуется с экспериментом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.