"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенного из газовой фазы
Астрова Е.В.1, Бобровникова И.А.1, Вилисова М.Д.1, Ивлева О.М.1, Лаврентьева Л.Г.1, Лебедев А.А.1, Тетеркина И.В.1, Чалдышев В.В.1, Чернов Н.А.1, Шмарцев Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 19 апреля 1991 г.

Исследовано влияние изовалентного легирования индием на электрофизические и люминесцентные свойства, плотность дислокаций, параметр решетки и концентрацию глубоких уровней EL2 в эпитаксиальных слоях n-GaAs : S, выращенных в хлоридной газотранспортной системе. Обнаружено, что при концентрации индия ~1·1020 см-3 увеличиваются подвижность свободных электронов и эффективность краевой излучательной рекомбинации, уменьшаются концентрации центров EL2 и глубоких центров, ответственных за линии фотолюминесценции 1.2 и 0.9 эВ, а также плотность дислокаций.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.