"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние стехиометрических вакансий на поведение потолка валентной зоны в твердых растворах (In2Te3)x-(HgTe)1-x
Домашевская Э.П.1, Неврюева Е.Н.1, Грушка Г.Г.1, Говалешко Н.П.1, Баев А.С.1, Терехов В.А.1
1Воронежский государственный университет им. Ленинского комсомола
Выставление онлайн: 19 апреля 1991 г.

Совместно методами ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) получены композиционные зависимости энергетического положения потолка валентной зоны Ev(x) и главного максимума спектра валентных 5p-электронов теллура в твердых растворах (In2Te3)x-(HgTe)1-x. Установлено, что в этой системе в области x<0.1 наблюдается резкий сдвиг в положении особых точек, в том числе и Ev в сторону больших энергий связи. Подобное поведение Ev(x) объясняется влиянием d-электронов ртути и стехиометрических вакансий. Наличие последних позволяет объяснить различный характер поведения Ev(x) в системах CdxHg1-xTe и (In2Te3)x-(HgTe)1-x.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.