"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Ударная ионизация в кремнии в слабых полях
Грехов И.В.1, Зазулин С.В.1, Кардо-Сысоев А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 19 апреля 1991 г.

Предложен новый метод определения коэффициентов ударной ионизации электронов alphan и дырок alphap в полупроводниках в слабых (E<105 В/см) электрических полях. Метод основан на регистрации тока неосновных носителей, рожденных за счет ударной ионизации в квазинейтральной области (НО) обратносмещенного диода при подаче на него мощного импульса СВЧ колебаний. Для области малых значений коэффициентов ударной ионизации (alpha<1 см-1) разработан простой алгоритм вычисления alpha(E) по измеренным значениям среднего тока через диод и падающего на диоде СВЧ напряжения. То, что ионизация ведется практически только одним типом носителей (основными носителями в НО), т. е. отсутствует проблема разделения вкладов электронов и дырок в ударную ионизацию, обусловило высокую чувствительность метода. В результате исследований определена зависимость alphan(E) в кремнии в недоступном для других методик диапазоне значений alpha=10-3-10-1 см-1. Показано, что полученные результаты хорошо согласуются с предсказанным теорией переходом от межзонной ионизации к многоступенчатой через глубокие промежуточные уровни в запрещенной зоне полупроводника, однако выяснение природы этих уровней требует дальнейших исследований.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.