"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Крупномасштабные скопления электрически активных дефектов в монокристаллах фосфида индия
Калинушкин В.П.1, Юрьев В.А.1, Мурин Д.И.1
1Институт общей физики АН СССР, Москва
Выставление онлайн: 19 апреля 1991 г.

Изложены результаты дефектоскопического исследования крупномасштабных примесных скоплений в монокристаллах InP, выполненного методом малоуглового рассеяния света среднего ИК диапазона (lambda0=10.6 мкм), приведены оценки основных параметров скоплений (их размеров и концентрации свободных носителей в их объеме) и энергии активации образующих их точечных центров. Предлагается модель скоплений, согласно которой они представляют собой сферические области кристалла, обогащенные микровключениями индия и дефектом InP.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.