"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
In0.53Ga0.47As/In0.88Ga0.12As0.23P0.77-гетероструктуры с двумерным электронным газом
Гореленок А.Т.1, Рехвиашвили Д.Н.1, Надточий М.Ю.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 19 апреля 1991 г.

Методом ЖФЭ впервые получены гетероструктуры In0.53Ga0.47As/In0.88Ga0.12As0.23P0.77 с двумерным электронным газом. Исследованы механизмы эффекта устойчивой фотопроводимости в структурах InxGa1-xAs1-y/In0.53Ga0.47As. Показано, что введение спейсера и буферного слоя позволяет получить структуры с очень высокой подвижностью --- 12 300 см2/В·с при комнатной температуре, в которых отсутствует влияние освещения на транспортные характеристики при низких температурах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.