"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние анодного окисления поверхности на характеристики фотопроводимости и фотомагнитного эффекта в кристаллах CdxHg1-xTe
Гасан-заде С.Г.1, Жадько И.П.1, Зинченко Э.А.1, Фридрих Е.С.1, Шепельский Г.А.1
1Институт полупроводников АН УССР, Киев
Выставление онлайн: 19 апреля 1991 г.

В кристаллах CdxHg1-xTe (x=~0.20) n- и p-типа исследовано влияние анодного окисления поверхности на характеристики фотопроводимости (ФП) и фотомагнитного эффекта (ФМЭ), а также на эффект Холла и электропроводность. Анализ результатов проведен с учетом наличия на границе раздела полупроводник-окисел фиксированного положительного заряда большой плотности. Показано, что кратковременная ультрафиолетовая подсветка приводит при низкой (T=<80 K) температуре к качественной трансформации характеристик образца из-за перехода его в новое стационарное состояние с практически полной релаксацией электрического приповерхностного потенциала. В образцах p-типа обнаружено возникновение пространственной концентрационной неоднородности в приповерхностной области кристалла после нанесения анодного окисла. Кроме того, коэффициент Холла испытывает инверсию знака, а величины ФП и ФМЭ резко возрастают в образцах p-типа и, напротив, уменьшаются в образцах n-типа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.