"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кинетика наносекундной электрической "формовки" переключающих элементов на основе некристаллических пленок GexTe1-x
Бабянскас Э.1, Бальчюнас В.1, Балявичюс С.1, Ченис А.1, Шикторов Н.1, Ясутис В.1
1Институт физики полупроводников АН Литвы, Вильнюс
Выставление онлайн: 19 апреля 1991 г.

С помощью однократных импульсов длительностью 3-10 нc изучена кинетика переключения в переключающих элементах на основе некристаллических пленок GexTe1-x. Обнаружено, что процесс "формовки" сопровождается высокочастотными флуктуациями тока, возникающими из-за поочередного включения и выключения некоторых частей межэлектродного материала. Показано, что процесс выключения обусловлен термическим разрушением низкоомного состояния. Представлена математическая модель, объясняющая основные закономерности таких флуктуаций.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.