"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние глубоких уровней на вольт-амперные характеристики гетероструктурных полевых транзисторов с селективным легированием
Ершов В.С.1, Зайцевская 3.А.1, Кальфа А.А.1, Крюков А.Р.1, Матыцын С.В.1, Пашковский А.Б.1, Федоров Ю.Ю.1
1Научно-производственное объединение "Исток", Фрязино
Выставление онлайн: 19 апреля 1991 г.

Разработана модель полевого транзистора на гетероструктуре с селективным легированием (ПТ ГСЛ), учитывающая глубокие энергетические уровни, размерное квантование электронов в канале и их нестационарный дрейф при субмикронной длине затвора. Расчетные вольт-амперные характеристики (ВАХ) хорошо совпали с экспериментальными. На основе расчетов и качественного анализа ВАХ исследовано влияние глубоких уровней, локализованных в объеме широкозонного полупроводника и на границе гетероперехода, на статические характеристики ПТ ГСЛ. В образцах с аномальными ВАХ методом емкостной спектроскопии вблизи границы гетероперехода обнаружены DX-центры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.