Разработана модель полевого транзистора на гетероструктуре с селективным легированием (ПТ ГСЛ), учитывающая глубокие энергетические уровни, размерное квантование электронов в канале и их нестационарный дрейф при субмикронной длине затвора. Расчетные вольт-амперные характеристики (ВАХ) хорошо совпали с экспериментальными. На основе расчетов и качественного анализа ВАХ исследовано влияние глубоких уровней, локализованных в объеме широкозонного полупроводника и на границе гетероперехода, на статические характеристики ПТ ГСЛ. В образцах с аномальными ВАХ методом емкостной спектроскопии вблизи границы гетероперехода обнаружены DX-центры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.