"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О механизмах токопереноса в диодных структурах Cr--n-InP и Mo--n-InP
Слободчиков С.В.1, Салихов Х.М.1, Саморуков Б.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.

Проведены исследования электрических характеристик диодных структур Cr--n-InP и Mo--n-InP и сделана оценка механизма токопрохождения. Установлено, что в структурах Cr--n-InP преобладает либо термоэлектронный, либо генерационно-рекомбинационный ток в зависимости от температуры. В структурах Mo--n-InP --- двойная инжекция носителей заряда при дрейфовом переносе.
  1. E. Hokelek, G.J. Robinson. J. Appl. Phys., 54 (9), 5199 (1983)
  2. T. Kendelewicz, N. Newman, R.S. List, I. Lindau, W.E. Spicer. J. Vac. Sci. Technol. B, 3 (4), 1206 (1985)
  3. Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982) с. 122
  4. Ming-Long Tsai, A.L. Fahrenbruch, R.H. Bube. J. Appl. Phys., 51 (5), 2696 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.