"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Свойства светодиодов, изготовленных на основе структур InAsSbP / InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
Зотова Н.В.1, Кижаев С.С.1, Молчанов С.С.1, Воронина Т.И.1, Лагунова Т.С.1, Пушный Б.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.

Светодиоды (длина волны lambda=3.3-4.5 мкм) изготовлены на основе гетероструктур InAsSbP / InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Применение метода газофазной эпитаксии позволило существенно увеличить содержание фосфора в барьерных слоях (до 50%) по сравнению с традиционным методом жидкофазной эпитаксии и, следовательно, улучшить ограничение носителей заряда в активной области структур. Исследованы фотолюминесцентные свойства слоев InAsSb, электролюминесцентные свойства светодиодов, зависимости мощности излучения от тока. Изготовлены светодиоды двух типов: с выводом излучения через подложку (тип A) и с выводом излучения через эпитаксиальный слой (тип B). При комнатной температуре светодиоды в импульсном режиме (скважность 20) имели мощность излучения 1.2 мВт.
  1. Z. Feit, D. Kostyk, R.J. Woods, P. Mak. Appl. Phys. Lett., 58, 343 (1991)
  2. E. Hadji, J. Bleuse, N. Magnea, J.L. Pautrat. Appl. Phys. Lett., 67, 2591 (1995)
  3. H.K. Choi, S.J. Eglash, W.G. Turner. Appl. Phys. Lett., 64, 2474 (1994)
  4. T.C. Hasenberg, R.H. Miles, A.R. Kost, L. West. IEEE J. Quant. Electron., 33, 1403 (1997)
  5. H. Lee, L.J. Olafsen, R.J. Menna, W.W. Bewley, R.U. Martinelly, I. Vurgaftman, D.Z. Garbuzov, C.L. Felix, M. Maiorov, J.R. Meyer, J.C. Connolly, A.R. Sugg, G.H. Olsen. Electron. Lett., 35, 1743 (1999)
  6. B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, M.A. Remennyi, N.M. Stus, G.N. Talalakin. IEE Proc. Optoelectron., 149, 33 (2002)
  7. A.A. Popov, V.V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, A.N. Baranov, C. Alibert. Electron. Lett., 33, 86 (1997)
  8. B. Matveev, N. Zotova, S. Karandashov, M. Remennyi, N. Il'inskaya, N. Stus, V. Shustov, G. Talalakin, J. Malinen. IEEE Proc. Optoelectron., 145, 254 (1998)
  9. V.V. Sherstnev, A.M. Monahov, A. Krier, G. Hill. Appl. Phys. Lett., 77, 3908 (2000)
  10. M.J. Kane, G. Braithwaite, M.T. Emeny, D. Lee, T. Martin, D.R. Wright. Appl. Phys. Lett., 76, 943 (2000)
  11. A. Stein, D. Puttjer, A. Behres, K. Heime. IEEE Proc. Optoelectron., 145, 257 (1998)
  12. R.M. Biefeld, A.A. Allerman, S.R. Kurtz, K.C. Baucom. J. Cryst. Growth, 195, 356 (1998)
  13. M.J. Pullin, H.R. Hardaway, J.D. Heber, C.C. Philips, W.T. Yuen, P. Moeck. Appl. Phys. Lett., 74, 2384 (1999)
  14. О.А. Аллаберенов, Н.В. Зотова, Д.Н. Наследов, Л.Д. Неуймина. ФТП, 4, 1939 (1970)
  15. S.S. Kizhayev, N.V. Zotova, S.S. Molchanov, Y.P. Yakovlev. IEE Proc. Optoelectron., 149, 33 (2002)
  16. N.P. Esina, N.V. Zotova. ФТП, 14, 316 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.