"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Анализ полосы излучения комплeксов VGaTeAs в n-GaAs при одноосном давлении
Гуткин А.А.1, Ермакова А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.

В приближении малости отклонений осей излучающих оптических диполей комплексов VGaTeAs в GaAs от одного из направлений типа < 111> проанализирована форма спектра широкой бесструктурной полосы фотолюминесценции этих дефектов при давлении 10 кбар вдоль оси [111]. Для выявления расщепившихся компонент этой полосы, принадлежащих центрам разной ориентации, развита методика, использующая закономерности пьезоспектроскопического поведения анизотропных центров и применение измерений спектров в случаях, когда электрический вектор световой волны параллелен и перпендикулярен оси давления. Подтверждена модель, принятая при анализе, и определено, что расщепление энергий центров разной ориентации при давлении 10 кбар примерно равно 38 мэВ, а относительная доля ротатора, описывающая в классическом дипольном приближении поляризационные свойства света, излучаемого отдельным комплексом, составляет 0.15. Это свидетельствует о сравнимости роли спин-орбитального и ян-теллеровского взаимодействий в формировании излучающего состояния комплекса.
  1. E.W. Williams. Phys. Rev., 168, 922 (1968)
  2. Ф.Н. Воробкало, К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 7, 896 (1973)
  3. H.G. Guislain, L. De Wolf, P. Clauws. J. Electron. Mater., 7, 83 (1978)
  4. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 26, 1269 (1992)
  5. А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 34, 1201 (2000)
  6. A. Gutkin, M. Reshchikov, V. Sedov, V. Sosnovski. Proc. Estonian Acad. Sci. Phys. Math., 44, 212 (1995)
  7. A.A. Gutkin, N.S. Averkiev, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov. Proc. 18 Int. Conf. on Defects in Semicond. (Sendai, Japan, July 23--28, 1995), ed. by M. Suezawa, H. Katayama-Yoshida. [Mater. Sci. Forum, 196--201, pt 1, 231 (1995)]
  8. N.S. Averkiev, A.A. Gutkin, E.B. Osipov, M.A. Reshchikov, V.R. Sosnovski. Proc. 1 Nat. Conf. on Defects in Semicond. (St. Petersburg, Russia, Apr. 26--30, 1992), ed. by N.T. Bagraev. [Def. Dif. Forum, 103--106, 31 (1993)]
  9. A.A. Kaplyanskii. J. de Phys., 28, Suppl., N 8--9, 4 (1967)
  10. М.В. Фок. Тр. ФИАН им. П.Н. Лебедева, 59, 3 (1972)
  11. А.А. Гуткин, М.А. Рещиков. ФТП, 37 (3), 287 (2003)
  12. А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 31, 1062 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.