Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Мессбауэровское исследование примесных атомов железа в арсениде галлия

Серегин П.П.¹, Степанова Т.Р.¹, Кожанова Ю.В.¹, Волков В.П.¹

¹Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 3 февраля 2003 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе ⁵⁷Co(^57mFe) выявлена зависимость зарядового состояния примесных атомов железа в GaAs от положения уровня Ферми в запрещенной зоне, идентифицированы нейтральные и ионизованные состояния примесных атомов как в приповерхностной (они входят в состав ассоциатов с вакансиями решетки), так и в объемной областях (они входят в виде изолированной примеси замещения) материала. Для частично компенсированных образцов в объемной области материала обнаружен процесс быстрого электронного обмена между нейтральными и ионизованными акцепторными центрами железа, осуществляемый дырками через валентную зону.

Н.М. Колчанова, Д.Н. Наследов, Г.Н. Талалакин. ФТП, 4, 134 (1970)
Г.Б. Ильменков, И.Ф. Миронов, Д.Н. Наследов, Ю.С. Сметанникова, Б.А. Шустров, В.К. Ярмаркин. ФТТ, 13, 1407 (1971)
В.К. Исаев-Иванов, В.Ф. Мастеров, Д.Н. Наследов, В.К. Ярмаркин. ФТТ, 16, 2068 (1974)
В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, С.А. Немов, П.П. Серегин. ФТП, 30, 840 (1996)
В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, С.А. Немов, П.П. Серегин. ФТП, 30, 884 (1996)
А.И. Блашку. Автореф. канд. дис. (Кишинев, Политехн. ин-т, 1973)
В.И. Фистуль, А.М. Агеев. ФТТ, 7, 3681 (1965)
M. de Wit, T.L. Estle. Phys. Rev., 132, 195 (1963)
K.T. Duff. Phys. Rev., 9, 66 (1974)
J. Blomquist. J. Chem. Phys., 55, 141 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель