"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе структур металл--широкозонный полупроводник
Бланк Т.В.1, Гольдберг Ю.А.1, Калинина Е.В.1, Константинов О.В.1, Поссе Е.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.

В последнее время большое внимание уделяется измерению и контролю ультрафиолетового излучения Солнца и искусственных источников. Мы представляем фотодетекторы на основе различных широкозонных поверхностно-барьерных структур, которые имеют линейную характеристику плотность потока излучения--фототок в диапазоне 10-2-103 Вт / м2 и позволяют регистрировать разные типы ультрафиолетового излучения. Так, фотодетекторы на основе GaP при использовании фильтра УФС-6 имеют диапазон спектральной фоточувствительности, соответствующий ультрафиолетовому излучению Солнца, регистрируемому на поверхности Земли. 4H-SiC-поверхностно-барьерные фотоприемники имеют диапазон спектральной фоточувствительности, соответствующий спектральной кривой бактерицидного воздействия ультрафиолетового излучения. Для объяснения процесса коротковолнового фотоэлектропреобразования в этих структурах разработана модель, согласно которой фотоэлектроны и фотодырки могут связываться в горячие экситоны и исключаться из процесса фотоэлектропреобразования. Экспериментально установленный факт роста квантовой эффективности с температурой для фотодетекторов на основе барьеров Шоттки объясняется захватом фотоносителей в ловушки, обусловленные флуктуациями дна зоны проводимости и потока валентной зоны, с последующей термодиссоциацией. Эти флуктуации связаны с несовершенствами в приповерхностной области полупроводника, что подтверждается независимостью квантовой эффективности фотодетекторов на основе p-n-структур от температуры.
  1. Фотометрия. Термины и определения. ГОСТ-26148-84, приложение 1, 1992
  2. L.R. Koller. Ultraviolet Radiation (N. Y. Wiley, 1965)
  3. K.L. Coulson. Solar and Terrestrial Radiation (N. Y., Academic, 1975)
  4. E.E. Anderson. Fundamentals of Solar Energy Conversion (Reading, MA, Addison Wesley, 1983)
  5. WHO, Environmental Hygienic Criterions 1984. Ultraviolet Radiation (WHO Environmental Health Criterion 160) (Geneva, International Fadiation Protection Association and WHO, 1994)
  6. Q. Chen, J.W. Yang, A. Osinsky, S. Gangopadhyay, B. Lim, M.Z. Anwar, M. Asif Khan, D. Kuksenkov, H. Temkin. Appl. Phys. Lett., 70, 2277 (1997)
  7. E. Monroy, T. Palacios, O. Hainaut, F. Omn\`es, F. Calle, J.-F. Hochedez. Appl. Phys. Lett., 80, 3198 (2002)
  8. J.M. Van Hove, R. Hickman, J.J. Klaassen, P.P. Chow, P.P. Ruden. Appl. Phys. Lett., 70, 2282 (1997)
  9. Properties of Advanced Semiconductor Materials, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (N. Y.--London--Sydney, John Wiley and Sons, 2000)
  10. Landolt-Burnstein. New Series, ed. by O. Madelung (N. Y., Springer, 1982) v. 17a
  11. Р.Ф. Казаринов, О.В. Константинов. ЖЭТФ, 40, 936 (1961)
  12. Yu.A. Goldberg, O.V. Konstantinov, O.I. Obolensky, T.V. Petelina (Blank), E.A. Posse. J. Phys.: Condens. Matter, 11, 455 (1999)
  13. Ю.А. Гольдберг, В.В. Забродский, О.И. Оболенский, Т.В. Петелина (Бланк), В.Л. Суханов. ФТП, 33, 344 (1999)
  14. Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Н. Лантратов, О.И. Оболенский, Т.В. Петелина (Бланк), Е.А. Поссе, М.З. Шварц. ФТП, 33, 876 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.