"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование градиентных гетероструктур электронно-зондовыми методами
Буянов А.В., Пека Г.П., Ткаченко В.Н., Токалин О.А.
Выставление онлайн: 20 августа 1989 г.

Для плавных гетероструктур с p-n-переходом, включающих область твердого раствора переменного состава, проведен расчет координатной зависимости наведенного тока при сканирующем возбуждении электронным зондом, характеристики возбуждения катодолюминесценции в трехмерном случае с учетом встроенного квазиэлектрического поля при различных аппроксимациях функции генерации (delta-функция, гауссиана). Рассмотрена модель, в которой ширина запрещенной зоны EG линейно изменяется с координатой, а направление возбуждения перпендикулярно градиенту EG, Получены аналитические выражения, позволяющие из сравнения с экспериментом определить следующие рекомбинационные параметры: эффективные диффузионно-дрейфовые длины, скорость поверхностной рекомбинации. Предложенные методы экспериментально апробированы на гетероструктурах GaAs-AlxGa1-xAs (x=<0.35) с переменным по координате составом, для которых определены все указанные параметры в различных областях гетероструктур, включая переходные области.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.