Показано, что в условиях электротемпературного эффекта (ЭТЭ) на вольтамперных характеристиках (ВАХ) кристаллов теллура появляются нелинейные участки с различной зависимостью тока от напряжения. Анализ ВАХ I= (S)/(L) sigma V и дифференциальной проводимости dI/dV= I/V(1+chi)/(1-chi) (chi=(S)/(L) eta V² dsigma/dT) приводит к выводу, что наличие насыщения и падающего участка на ВАХ обусловлено явлением эксклюзии в теллуре.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.