"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Краевая фотолюминесценция кристаллов n-InP, облученных электронами с энергией 3.5/4 МэВ
Коршунов Ф.П., Радауцан С.И., Соболев Н.А., Тигиняну И.М., Урсаки В.В., Кудрявцева Е.А.
Выставление онлайн: 20 августа 1989 г.

Установлено, что облучение кристаллов n-InР электронами приводит к появлению в спектре краевой фотолюминесценции (ФЛ) двух узких полос при энергиях 1.305 и 1.392 эВ (T=4.2 K), которые связываются с излучательными переходами свободных электронов на два уровня акцепторного дефекта InP. Найдено, что начиная с дозы электронного облучения D~=3·1016 см-2 происходит удаление свободных носителей из n-InP и усиление спада интенсивности донорно-акцепторной (1.376 эВ) и экситонной (1.416 эВ) полос ФЛ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.