"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние заряженных центров на захват медленных электронов нейтральными примесями в полупроводниках
Гольдгур Е.Б., Рабинович Р.И.
Выставление онлайн: 20 августа 1989 г.

Рассматривается захват медленных электронов (ka0<<1, k - волновой вектор, a0 - боровский радиус) нейтральным центром (НЦ), расположенным на расстоянии R>> a0 от кулоновского центра. Потенциал НЦ моделируется потенциалом нулевого радиуса. Коэффициент захвата в кулоновском поле притяжения вычислен для "близких" (R<< 2/k2a0) и "далеких" (R>> 2/k2a0) НЦ. Наличие кулоновского центра существенно увеличивает коэффициент захвата и изменяет его энергетическую зависимость на "близких" расстояниях. Захват на НЦ, находящиеся вблизи отталкивающего кулоновского, оказывается пренебрежимо малым.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.