"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Индуцированные магнитным полем электронные переходы в полупроводниках со сверхрешеткой
Поляновский В.М.
Выставление онлайн: 20 августа 1989 г.

В полупроводнике со сверхрешеткой (ПСР) в магнитном поле, приложенном вдоль оси СР, возникают запрещенные полосы энергии, когда расстояние между уровнями Ландау превышает ширину мини-зоны. При нулевой температуре уровень Ферми не может находиться в запрещенной полосе энергии и при заполнении целого числа уровней Ландау "перескакивает" из потолка одного уровня Ландау в дно следующего. Периодическое скачкообразное изменение химического потенциала приводит к фазовым переходам (ФП) металл-диэлектрик-металл. При конечных температурах при попадании уровня Ферми в запрещенную полосу энергии происходят эффективное снятие вырождения электронного газа и соответственно индуцированные магнитным полем электронные переходы (ЭП) металл-полупроводник-металл и p-полупроводник-n-полупроводник. ЭП металл-полупроводник происходит при пересечении уровнем Ферми границ мини-зоны и проявляется в резком уменьшении величины и переходе к активационной температурной зависимости проводимости вдоль оси GP, а также в резком возрастании абсолютной величины продольной термоэдс. ЭП p-полупроводник-n-полупроводник происходит при пересечении уровнем Ферми середины запрещенной полосы энергии и проявляется в резкой смене знака термоэдс.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.