"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Инжекционная, электрополевая и термическая перестройка радиационных дефектов в p-кремнии
Кучинский П.В., Ломако В.М., Петрунин А.П.
Выставление онлайн: 20 августа 1989 г.

Исследованы перестройка и стабильность радиационных дефектов с энергетическими уровнями Ec-0.14, Ev+0.29, Ev+0.35 и Ev+0.38 эВ в p-кремнии при инжекционных, электрополевых и термических воздействиях. Показано, что диссоциация инжекционно-отжигающегося дефекта с энергетическим уровнем Ec-0.14 эВ, образующегося при высокой скорости генерации первичных дефектов, приводит к увеличению концентрации междоузельного углерода (Ev+0.29 эВ), который при термическом отжиге идет на образование комплексов Ci- Oi или Ci- Оs с уровнем Ev+0.38 эВ. Последний при дальнейшем нагревании изменяет конфигурацию и дает энергетический уровень Ev+0.35 эВ. Предполагается, что инжекционно-отжигающийся дефект является двойным или расщепленным междоузлием кремния либо комплексом Siii.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.