Измерены температурные и полевые зависимости холловских концентрации n_H и подвижности mu_H электронов в инверсионном n-канале на поверхности кремния в областях n_H=10⁸/10¹³ см^-2 и температур T=10-300 K. Исследовались "холловские" Si-МОП транзисторы, изготовленные до HCl-технологии на (100) p-Si (толщина окисла 1800 Angstrem). Зависимости mu_H(n_H) обнаруживают два максимума, обусловленных конкуренцией эффектов экранирования крупномасштабного флуктуационного потенциала (слабая инверсия) или уменьшения парциального вклада рассеяния на заряженных центрах (сильная инверсия) и усиления рассеяния электронов фононами и (или) шероховатостями поверхности. Зависимости mu_H(n_H) для области низких температур не описываются теорией слабого ФП: ее применение к экспериментальным данным приводит к заниженным значениям характерного энергетического масштаба ФП Delta и плотности обусловливающих его заряженных центров n_t. При T<100 K заряженные пограничные центры обусловливают дополнительное, резерфордовское, рассеяние электронов, которое выявляется на "фоне" эффектов ФП по зависимости mu_H(T) при концентрациях n_H, отвечающих сильно экранированному ФП и практическому отсутствию рассеяния на шероховатостях поверхности или фононах. Концентрация поверхностных рассеивателей (~=2.5/10¹⁰ см^-2) оказывается близкой к концентрации заряженных центров, обусловливающих крупномасштабный ФП (n_t>~=10¹⁰ см^-2). Обнаружена узкая область концентраций (n_H~=2/10¹¹ см^-2), в которой исчезает температурная зависимость mH в широком диапазоне температур (10-100 K), по-видимому, обусловленная доминирующей ролью рассеяния электронов на заряженных центрах в условиях вырождения электронного газа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.