"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Об использовании кремниевых структур типа М-П-М в методе емкостной спектроскопии глубоких уровней
Еремин В.К., Иванов А.М., Строкан Н.Б., Шокина Е.В.
Выставление онлайн: 20 августа 1989 г.

Анализируется корректность использования структур типа М-П-М в методе нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (DLTS). Для их аттестации предлагается использовать особенности амплитудной характеристики импульсного фотоотклика структуры, смещенной в запорном направлении, выявляющие наличие потенциального барьера на тыловом контакте. Вариацией приемов создания тылового контакта типа М-П показана возможность получения структур, где указанный барьер отсутствует. Проведена их апробация при исследовании свойств и распределения по глубине центров в запрещенной зоне в высокоомном исходном и термообработанном Si с rho~ 1 кОм·см.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.