"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Тонкая структура излучения при рекомбинации на комплексных дефектах в теллуриде кадмия
Бабенцов В.Н., Булах В.М., Горбань С.И., Рашковецкий Л.В., Сальков Е.А.
Выставление онлайн: 20 августа 1989 г.

Обнаружена тонкая структура фотолюминесцентного (ФЛ) излучения теллурида кадмия в области 820-840 нм, возникающего вследствие рекомбинации носителей заряда на комплексных дефектах. Рассмотрена зависимость спектра (ФЛ) от плотности дефектов, температуры отжига кристалла и температуры, при которой исследуется ФЛ. Предложен возможный механизм образования дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.