Вышедшие номера
Тонкая структура излучения при рекомбинации на комплексных дефектах в теллуриде кадмия
Бабенцов В.Н., Булах В.М., Горбань С.И., Рашковецкий Л.В., Сальков Е.А.
Выставление онлайн: 20 августа 1989 г.

Обнаружена тонкая структура фотолюминесцентного (ФЛ) излучения теллурида кадмия в области 820-840 нм, возникающего вследствие рекомбинации носителей заряда на комплексных дефектах. Рассмотрена зависимость спектра (ФЛ) от плотности дефектов, температуры отжига кристалла и температуры, при которой исследуется ФЛ. Предложен возможный механизм образования дефектов.