Обнаружена тонкая структура фотолюминесцентного (ФЛ) излучения теллурида кадмия в области 820-840 нм, возникающего вследствие рекомбинации носителей заряда на комплексных дефектах. Рассмотрена зависимость спектра (ФЛ) от плотности дефектов, температуры отжига кристалла и температуры, при которой исследуется ФЛ. Предложен возможный механизм образования дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.