Обнаружено нелинейное поглощение в полупроводниковой сверхрешетке GaAs-Al_xGa_1-xAs. Исследование временной эволюции нелинейного поглощения позволило наблюдать релаксацию горячих носителей заряда и их транспорт в сверхрешетке.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.