"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Об одном механизме образования квазинепрерывно распределенных по энергии ловушек в кристаллах полупроводников и диэлектриков
Тигиняну И.М.
Выставление онлайн: 20 августа 1989 г.

Установлено, что при асимметричном расположении уровней доноров и акцепторов в запрещенной зоне компенсированных полупроводников и диэлектриков парное взаимодействие заряженных дефектов приводит к образованию зон квазинепрерывно и экспоненциально распределенных ловушек. На примере тиоиндата цинка показано, что в многокатионных кристаллических соединениях такой случай может реализоваться при антиструктурном разупорядочении атомов в катионной подрешетке.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.