"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние легирования расплава-раствора гадолинием и алюминием на электрические и люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaSb
Виноградова Г.И., Гогаладзе Д.Т., Лошинский А.М., Соловьева Е.В., Долгинов Л.М.
Выставление онлайн: 20 августа 1989 г.

Методами эффекта Холла и фотолюминесцении исследованы эпитаксиальные слои антимонида галлия, легированного примесями Gd и Al, а также нелегированные слои в зависимости от состава и отжига раствора-расплава. Показано, что во всех указанных случаях происходит уменьшение концентрации акцепторных центров с энергиями ионизации E1~0.035 и E2~0.08 эВ. Предлагаются две модели, позволяющие объяснить полученные результаты.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.