Получены соотношения, связывающие подвижности основных и неосновных носителей заряда в полупроводниках n- и p-типа. На основе этих соотношений проанализированы результаты экспериментальных исследований подвижности дырок в образцах кремния, различающихся типом проводимости. Показано, что за счет электронно-дырочных столкновений дырки в n-материале оказываются менее подвижными, чем в p-материале. Получена зависимость подвижности mu_pn, определяемой электронно-дырочным рассеянием, от концентрации основных носителей - электронов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.