На частотах 2-4 ГГц измерена продольная шумовая температура T_ш горячих электронов в образцах n-GaAs с концентрацией электронов 10¹⁵ см^-3 в диапазоне температур кристалла T₀=10-100 K. На зависимостях T_ш(T₀) при охлаждении кристалла и фиксированных напряжениях греющего смещения U наблюдались три участка: возрастание T_ш после минимума вблизи T₀=100 K, замедление роста T_ш вблизи T₀=60 K и различие в ходе кривых для частот 2 и 4 ГГц при температурах ниже 20 K. Прослеживалась корреляция между ходом зависимости T_ш(U) и коэффициентом нелинейности ВАХ во всем диапазоне температур кристалла. На начальном участке ВАХ при T₀=77 K и ниже наблюдалось резкое увеличение ее нелинейности, связанное с суперлинейным ростом тока.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.