"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
СВЧ шум горячих электронов в GaAs при температурах кристалла 10-100 K
Аитов Р.Д., Маслов А.И., Ржевкин К.С.
Выставление онлайн: 20 августа 1989 г.

На частотах 2-4 ГГц измерена продольная шумовая температура Tш горячих электронов в образцах n-GaAs с концентрацией электронов 1015 см-3 в диапазоне температур кристалла T0=10-100 K. На зависимостях Tш(T0) при охлаждении кристалла и фиксированных напряжениях греющего смещения U наблюдались три участка: возрастание Tш после минимума вблизи T0=100 K, замедление роста Tш вблизи T0=60 K и различие в ходе кривых для частот 2 и 4 ГГц при температурах ниже 20 K. Прослеживалась корреляция между ходом зависимости Tш(U) и коэффициентом нелинейности ВАХ во всем диапазоне температур кристалла. На начальном участке ВАХ при T0=77 K и ниже наблюдалось резкое увеличение ее нелинейности, связанное с суперлинейным ростом тока.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.